科技新突破丨新光刻技术面世 超越半导体创造业标准界限
日本冲绳科学技术大学院大学设计了一种新型极紫外（EUV）光刻技术，超越了半导体创造业的标准界限。这项技术能让光刻设备使用较小的EUV光源，降低了成本，并且提升了机器的可靠性并延长了其使用寿命。新设计使得功耗降低至传统EUV光刻机的十分之一，有助于推动半导体行业的可持续进展。
（科技日报记者张梦然赵卫华）
来源：中国科技网
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